PMXB350UPE（NXP） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
NXP恩智浦完整型號：PMXB350UPE製造廠家名稱：NXP Semiconductors描述：MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN系列：-FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.2A（Ta）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：447 毫歐 @ 1.2A， 4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.3nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：116pF @ 10V功率 - 最大值：360mW安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：3-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：3-DFN （1.1x1）南皇電子自營直供，PMXB350UPE均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
PMXB350UPE（制造商：NXP），技術規格MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN 單端場效應管
