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IPB80N06S2-H5(Infineon) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IPB80N06S2-H5圖片
基本資料:
  • 零件型號:IPB80N06S2-H5
  • 制造廠商:Infineon
  • 技術規格:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • 功能類別:單端場效應管
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  • 技術參數詳情:
  • Infineon英飛淩公司完整型號:IPB80N06S2-H5
  • 製造廠家名稱:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • 系列:OptiMOS
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):55V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 80A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 230µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):155nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4400pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝:PG-TO263-3
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    IPB80N06S2-H5(制造商:Infineon),技術規格MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 單端場效應管
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