IPB042N10N3 G（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Infineon英飛淩公司完整型號：IPB042N10N3 G製造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3系列：OptiMOSFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：100A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.2 毫歐 @ 50A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：117nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：8410pF @ 50V功率 - 最大值：214W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：PG-TO263-3南皇電子自營直供，IPB042N10N3 G均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
IPB042N10N3 G（制造商：Infineon），技術規格MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 單端場效應管
