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    IPB025N10N3 G（Infineon） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    IPB025N10N3 G圖片
    基本資料：
  • 零件型號：IPB025N10N3 G
  • 制造廠商：Infineon
  • 技術規格：MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  • 功能類別：單端場效應管
  • 點擊此處下載IPB025N10N3 G的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • Infineon英飛淩公司完整型號：IPB025N10N3 G
  • 製造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  • 系列：OptiMOS
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：100V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：180A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2.5 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 275µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：206nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14800pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：300W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
  • 供應商器件封裝：PG-TO263-7
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    IPB025N10N3 G（制造商：Infineon），技術規格MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 單端場效應管
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