南皇電子
IMBG120R060M1HXTMA1全球貨源,采購無憂
多年專註,初心從未改變,千萬級電子元器件現貨庫存
買電子元器件就找南皇電子
IMBG120R060M1HXTMA1(Infineon) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IMBG120R060M1HXTMA1圖片
基本資料:
  • 零件型號:IMBG120R060M1HXTMA1
  • 制造廠商:Infineon
  • 技術規格:TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載IMBG120R060M1HXTMA1的原廠技術規格書(PDF文件)
  • 現貨為主,快速報價,盡全力滿足客戶從研發到批量生產的所有采購需求!
  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IMBG120R060M1HXTMA1
  • 製造商:Infineon Technologies
  • 描述:TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:CoolSiC™
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiC(碳化矽結晶體管)
  • 漏源電壓(Vdss):1.2kV
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):36A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):83 毫歐 @ 13A,18V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5.7V @ 5.6mA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):34nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+18V,-15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1.145nF @ 800V
  • FET功能:標準
  • 功率耗散(最大值):181W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PG-TO263-7-12
  • 南皇電子自營直供,IMBG120R060M1HXTMA1均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
  • 相關的熱門電子元器件及其品牌
    暂时没有内容
    IMBG120R060M1HXTMA1(制造商:Infineon),技術規格TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263 電晶體 - FET,MOSFET - 單個
    您值得選擇的電子元器件代理商
    買IC、電子元器件就找南皇電子,幫助您按時按預算地買到高品質的IMBG120R060M1HXTMA1現貨原裝部件