SI4435DYTR（IR） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SI4435DYTR製造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛淩INFINEON收購描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC系列：HEXFETFET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2320pF @ 15V功率 - 最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝產品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SO南皇電子自營直供，SI4435DYTR均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
SI4435DYTR（制造商：IR），技術規格MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC 單端場效應管
