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IRLHS6376TR2PBF(IR) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
IRLHS6376TR2PBF圖片
基本資料:
  • 零件型號:IRLHS6376TR2PBF
  • 制造廠商:IR
  • 技術規格:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
  • 功能類別:場效應管陣列
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:IRLHS6376TR2PBF
  • 製造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛淩INFINEON收購
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):3.6A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):63 毫歐 @ 3.4A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):270pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.5W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:6-VDFN 裸露焊盤
  • 供應商器件封裝:6-PQFN(2x2)
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    IRLHS6376TR2PBF(制造商:IR),技術規格MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN 場效應管陣列
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